近日，深圳市联域光电股份有限公司（以下简称“联域股份”）在交易所互动平台回答投资者问题时表示，公司以参股形式投资合肥芯智华光子科技有限公司（以下简称“芯智华”）。

天眼查数据显示，联域股份目前对芯智华的持股比例为33.59%。联域股份这家以大功率LED（发光二极管）照明为主业的公司，由此将投资布局延伸至光通信芯片领域。

光芯片是光模块中实现光电信号转换的核心部件，其中调制芯片的性能直接影响光模块的传输速率与功耗水平。当前，光模块正由800G向1.6T、3.2T乃至更高速率演进，传统调制技术在带宽、功耗方面面临更高要求。

薄膜铌酸锂被业内称为“光子时代的硅”，具有电光效应强、调制带宽大、驱动电压低、光学损耗小等特性；硅光平台则具备与CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺兼容、集成度高、易于规模化量产的优势。芯智华深耕“薄膜铌酸锂+硅光异质集成”技术，将薄膜铌酸锂的高速调制能力与硅光平台的大规模集成能力相结合，兼顾高带宽、低功耗、小尺寸与可量产性。这是面向下一代超高速光通信的关键技术路线之一。

资料显示，芯智华创始人在薄膜铌酸锂领域拥有十余年研发经验，是国内长期深耕该方向的技术带头人之一。依托创始团队的积累，芯智华在异质集成工艺、高速调制芯片设计等关键环节形成了技术储备。

目前，芯智华已构建光波导技术、光学设计与封装技术、高频仿真与设计技术三大核心技术工艺平台，形成了涵盖芯片设计、芯片、器件和模块的全链条自主开发能力，并拥有二十余项相关专利。芯智华创始人还参与了多项铌酸锂材料及器件相关国家标准的起草工作，在铌酸锂材料研究方向具备深厚的专业积淀和行业影响力。

有分析人士认为，随着数据中心、AI（人工智能）算力集群对光互联带宽和能效的要求不断提高，尤其是3.2T及以上速率光模块对调制带宽提出更高要求，“薄膜铌酸锂+硅光异质集成”光芯片有望在高速光模块、相干光通信、光计算等领域获得更广泛应用。在这一技术门槛高、积累周期长的赛道中，拥有长期研发积累的核心团队和全链条开发能力的企业具备先发优势。