9月20日，2026世界制造业大会在安徽省合肥市开幕。会上，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）正式宣布第五代DRAM（动态随机存取存储器）技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）5X新品。

长鑫科技相关负责人对记者表示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是公司在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案。

据了解，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45：1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

此外，研发过程中，长鑫科技在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进DRAM工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破。

值得一提的是，G5平台微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

近年来，新兴技术场景持续涌现，广泛的数据读写与传输需求驱动全球DRAM市场规模快速扩大。市场研究机构Omdia（奥姆迪亚）数据显示，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的7638亿美元，期间年均复合增长率为38.39%。

中国商业经济学会副会长宋向清对记者表示，随着长鑫科技G5平台产品不断推向市场，这将为数字经济、AI算力等产业筑牢存储底座，增强供应链韧性。

长鑫科技表示，未来，公司将持续面向全球市场需求推出更高性能、更具可靠性的存储产品。